2025年8月19日，九峰山实验室宣布成功开发6英寸磷化铟（InP）基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺，关键性能指标达到国际领先水平。这一成果不仅填补了国内大尺寸磷化铟材料制备的技术空白，更通过国产MOCVD设备与云南鑫耀6英寸InP衬底的协同应用，首次实现从核心装备到关键材料的国产化全链路突破，为光电子芯片规模化量产奠定基础。
磷化铟作为光通信、量子计算等领域的核心材料，长期受限于3英寸工艺的产能瓶颈，导致成本居高不下。九峰山实验室的6英寸工艺将外延均匀性标准差控制在1.5%以内，PIN探测器本底浓度低于4×10¹⁴cm⁻³，迁移率突破11000cm²/V·s，性能参数对标国际头部企业。
据业内预测，全球磷化铟光电子市场规模将在2027年达到56亿美元，年复合增长率14%，而6英寸工艺的成熟有望将国产光芯片成本压缩至3英寸工艺的60%-70%，显著提升市场竞争力。
此次技术突破的深层意义在于产业链协同模式的创新。九峰山实验室联合云南鑫耀（云南锗业子公司）攻克6英寸InP衬底量产难题，其单晶片产业化关键技术已进入最后验证阶段，预计2026年实现批量供货。
从市场需求端看，光通信领域对高速光模块的需求激增，叠加激光雷达、太赫兹通信等新兴应用的爆发，磷化铟芯片的供需缺口持续扩大。6英寸工艺的导入将推动国产光芯片在25G及以上速率产品中的渗透率提升，预计2025年国产InP光芯片市场份额将从目前的不足15%增长至30%以上。资本市场对此反应敏锐，云南锗业股价在消息公布当日上涨7.2%，反映市场对上游衬底材料稀缺性的重新定价。
然而，产业链自主可控仍面临挑战。全球磷化铟产能向中国转移的趋势下，如何平衡产能扩张与技术迭代压力，将是企业必须应对的课题。九峰山实验室表示，下一步将重点优化6英寸外延平台良率，并与华为、中兴等企业合作推进下游光模块产品验证，计划2026年底完成商用级芯片流片。
这一突破标志着我国在第三代半导体材料领域迈出关键一步。从3英寸到6英寸的跨越，当国产供应链开始主导关键环节时，全球光电子产业的价值分配格局或将迎来根本性调整。
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