2025年8月27日，国际顶级学术期刊《自然》刊发中国科研团队最新成果——北京大学联合香港城市大学等机构成功研发全球首款基于光电融合集成技术的自适应全频段高速无线通信芯片。
传统无线通信设备受限于单一频段工作模式，需为不同频段设计独立硬件，导致系统臃肿且效率低下。此次发布的芯片采用薄膜铌酸锂光子材料平台，通过光电融合架构创新，首次实现0.5GHz至115GHz超宽带信号的无缝切换。
在光子芯片的革命浪潮中，薄膜铌酸锂（TFLN）正以"光学硅"的姿态改写科技规则。这种诞生于20世纪60年代的透明晶体，经过21世纪微纳加工技术的淬炼，展现出远超传统材料的卓越性能
传统芯片用硅片传输电信号，就像用老式火车运送货物——速度慢还费电。薄膜铌酸锂（TFLN）就像给电子世界装了高铁轨道，用电信号驱动光信号，让数据传输速度有效提升。
材料革命：从块体到薄膜的跨越
传统铌酸锂晶体受限于加工技术，器件体积庞大且集成度低。2010年后兴起的"离子切片"（Smart Cut）技术，将铌酸锂晶体切割成亚微米级薄膜并键合到绝缘基底，实现了材料形态的革命性转变。这种厚度仅300-900nm的薄膜，通过光场强限制效应将波导损耗降至0.03dB/cm，使光子集成密度提升3个数量级。
薄膜铌酸锂光子材料的核心有色金属为铌和锂，辅以钛、硅等金属实现功能优化。
随着技术成熟，这种材料可能发挥更多作用，并应用于更广阔的领域。
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